Transistors. Page 78 sur 114. Avtronic

Transistor IRFB4228

16.18€ TTC

40 En stock

Transistor IRFB4228 N-MOS 150V 83A 330W<0.012R(59A). HEXFET Power MOSFET. PDP Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 83 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 59 A. Rds (Ohms): 0.012.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4229

12.04€ TTC

99 En stock

Transistor MOSFET canal N 250V 46A/180Ap 330W 0.038R (33A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRFB4229PbF. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 250V. Id(T:25): 46A. Puissance: 330 W. Id(T:100): 33A. Id(imp): 180 Ap. Idss (min): 20 uA. Idss (max): 1mA. Vgs:

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB42N20D

12.32€ TTC

20 En stock

Transistor IRFB42N20D N-MOS 200V 44A 330W<0.055R(31A). HEXFET Power MOSFET. SMPS. High frequency DC-DC converters. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 44 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 31 A

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFB42N20DPBF

12.49€ TTC

79 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 97A/390Ap 230W. Résistance passante RDSon : 0.07 Ohms (69A)

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFB4310PBF

9.46€ TTC

157 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 130A/550Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.0056 Ohms (92A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4710

7.95€ TTC

58 En stock

Transistor IRFB4710 N-MOS 100V 75A 200W<0.014R(53A. HEXFET Power MOSFET. High freqvency DC-DC convertes. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 53 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB52N15D

10.14€ TTC

37 En stock

Transistor IRFB52N15D N-MOS 150V 51A 230W<0.032R(36A). HEXFET Power MOSFET. High frequency DC-DC converters. Plasma Display Pa. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 51 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFB5615PBF

8.34€ TTC

14 En stock

Transistor MOSFET canal-N 150V 35A/140Ap 144W. Résistance passante RDSon : 0.032 Ohms

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB9N60A

9.74€ TTC

130 En stock

Transistor IRFB9N60A N-MOS 600V 9.2A 170W 0.75R (5.8A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.8 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB9N65A

11.20€ TTC

36 En stock

Transistor IRFB9N65A N-MOS 650V 8.5A 167W 0.93R (5.4A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.4 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFBC30

3.81€ TTC

102 En stock

Transistor IRFBC30 N-MOS 600V 3.6A 75W<2.2R(2.3A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.3 A. Rds (Ohms): 2.2.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFBC30A

5.26€ TTC

47 En stock

Transistor IRFBC30A N-MOS 600V 3.6A 74W<2.2R(2.3A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.3 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFBC40

4.82€ TTC

50 En stock

Transistor IRFBC40 N-MOS 600V 6.2A 125W<1.2R(3.9A. HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A. Rds (Ohms): 1.2.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFBE30

5.77€ TTC

112 En stock

Transistor IRFBE30 N-MOS 800V 4.1A 125W <3R(2.6A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.6 A. Rds (Ohms): 3.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFBF20S

5.77€ TTC

29 En stock

Transistor IRFBF20S N-MOS 900V 1.7A 54W <8R(1.1A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-262. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.1 A. Rds (Ohms): 8.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFBG30

5.32€ TTC

161 En stock

Transistor IRFBG30 N-MOS 1000V 3.1A 125W <5R(2A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 5.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFD014

3.25€ TTC

26 En stock

Transistor IRFD014 N-FET 60V 1.7A 1.3W<0.2R(1A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 1.3 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFD024

3.53€ TTC

37 En stock

Transistor IRFD024 N-FET 60V 2.5A 1.3W<0.1R(1.8A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.8 A. Rds (Ohms): 0.1.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFD110

2.52€ TTC

54 En stock

Transistor IRFD110 N-FET 100V 1A 1.3W<0.54R(0.6A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.6 A. Rds (Ohms): 0.54.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFD120

2.91€ TTC

135 En stock

Transistor IRFD120 N-FET 100V 1.3A 1.3W<0.27R(0.94A) DIP. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.94 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFD123

4.54€ TTC

56 En stock

Transistor IRFD123 N-FET 100V 1.3A 1.3W<0.27R(0.94A) DIP. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: VISHAY. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.94 A.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRFB4228

Transistor IRFB4228 N-MOS 150V 83A 330W<0.012R(59A). HEXFET Power MOSFET. PDP Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 83 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 59 A. Rds (Ohms): 0.012.

Transistor IRFB4229

Transistor IRFB42N20D

Transistor IRFB42N20D N-MOS 200V 44A 330W<0.055R(31A). HEXFET Power MOSFET. SMPS. High frequency DC-DC converters. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 44 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 31 A

Transistor MOSFET canal-N IRFB42N20DPBF

Transistor MOSFET canal-N 100V 97A/390Ap 230W. Résistance passante RDSon : 0.07 Ohms (69A)

Transistor MOSFET canal-N IRFB4310PBF

Transistor MOSFET canal-N 100V 130A/550Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.0056 Ohms (92A)

Transistor IRFB4710

Transistor IRFB4710 N-MOS 100V 75A 200W<0.014R(53A. HEXFET Power MOSFET. High freqvency DC-DC convertes. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 53 A.

Transistor IRFB52N15D

Transistor IRFB52N15D N-MOS 150V 51A 230W<0.032R(36A). HEXFET Power MOSFET. High frequency DC-DC converters. Plasma Display Pa. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 51 A.

Transistor MOSFET canal-N IRFB5615PBF

Transistor MOSFET canal-N 150V 35A/140Ap 144W. Résistance passante RDSon : 0.032 Ohms

Transistor IRFB9N60A

Transistor IRFB9N60A N-MOS 600V 9.2A 170W 0.75R (5.8A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.8 A.

Transistor IRFB9N65A

Transistor IRFB9N65A N-MOS 650V 8.5A 167W 0.93R (5.4A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.4 A.

Transistor IRFBC30

Transistor IRFBC30 N-MOS 600V 3.6A 75W<2.2R(2.3A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.3 A. Rds (Ohms): 2.2.

Transistor IRFBC30A

Transistor IRFBC30A N-MOS 600V 3.6A 74W<2.2R(2.3A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.3 A.

Transistor IRFBC40

Transistor IRFBC40 N-MOS 600V 6.2A 125W<1.2R(3.9A. HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A. Rds (Ohms): 1.2.

Transistor IRFBE30

Transistor IRFBE30 N-MOS 800V 4.1A 125W <3R(2.6A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.6 A. Rds (Ohms): 3.

Transistor IRFBF20S

Transistor IRFBF20S N-MOS 900V 1.7A 54W <8R(1.1A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-262. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.1 A. Rds (Ohms): 8.

Transistor IRFBG30

Transistor IRFBG30 N-MOS 1000V 3.1A 125W <5R(2A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 5.

Transistor IRFD014

Transistor IRFD014 N-FET 60V 1.7A 1.3W<0.2R(1A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 1.3 W

Transistor IRFD024

Transistor IRFD024 N-FET 60V 2.5A 1.3W<0.1R(1.8A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.8 A. Rds (Ohms): 0.1.

Transistor IRFD110

Transistor IRFD110 N-FET 100V 1A 1.3W<0.54R(0.6A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.6 A. Rds (Ohms): 0.54.

Transistor IRFD120

Transistor IRFD120 N-FET 100V 1.3A 1.3W<0.27R(0.94A) DIP. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.94 A.

Transistor IRFD123

Transistor IRFD123 N-FET 100V 1.3A 1.3W<0.27R(0.94A) DIP. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: VISHAY. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.94 A.

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